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可控硅模块的两大保护措施
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可控硅模块的两大保护措施
日期:[2015-8-6 15:48:24]   共阅[2101]次

  可控硅模块如果单独使用则承受过电流和过电压的能力较差,有可能短时间的过流和过电压,也会导致元件的损坏,所以必须对它采用适当的保护措施。下面就来看一下它的两大保护措施:
  1、过电流保护
  可控硅模块出现过电流的主要原因是过载、短路和误触发。过电流保护有以下三种:
  第一种是快速容断器:快速容断器中的溶丝是银质的,只要选用适当,在同样的过电流倍数下,它可以在元件损坏前先溶断,从而保护了晶闸管。
  第二种是过电流继电器:当电流超过过电流继电器的整定值时,过电流继电器就会动作,切断保护电路。但由于继电器动作到切断电路需要一定时间,所以只能用作过载保护。
  第三种是过载截止保护:利用过电流的信号将可控硅模块的触发信号后移,或使导通角减小,或干脆停止触发保护。
  2、过电压保护
  过电压可能导致可控硅模块的击穿,其主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或元件在导通与截止间的转换。对过压保护可采用两种措施:
  第一种:阻容保护
  第二种:硒堆保护
  通过文中的讲解,大家可以大体了解到这种产品的两大保护措施,产品的这两种保护模式,帮助产品更好的完成运行,相信看完了本文大家对可控硅模块又有了新的认识,希望上文可以给您带来一定帮助。

                                     可控硅模块

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