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如何判别可控硅的损坏原因
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如何判别可控硅的损坏原因
日期:[2014-10-25 13:59:28]   共阅[1945]次
  可控硅模块通常被称为功率半导体模块,当它损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,通过观察找出问题及时解决,下面就具体介绍如何判别可控硅的损坏原因:
  1、电压击穿,可控硅因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见,其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
  2、电流损坏,电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。
  3、电流上升率损坏,其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。
  4、边缘损坏,他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔,用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕,它导致电压击穿。
  关于如何判别可控硅损坏原因的相关介绍,文中已经讲解的比较清楚了,大家以后在遇到这种情况的时候,可以参考以上的内容,找出损坏的原因后,对症下药,及时的修复破损,使其能够尽快地投入到运行中,以免影响到之后的工作。
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